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兆瓦(c)异质结接触的MoS2场效应晶体管的输出特性曲线。然而此类材料在空气中进行转移和器件加工过程中，非水其表面会迅速生成数纳米厚的天然氧化层，从而在器件应用中产生接触问题并降低器件性能。

电量(f)忆阻器在正向电压脉冲和反向电压脉冲下实现高阻态与低组态的转变。这项成果以BifunctionalNbS2‑BasedAsymmetricHeterostructureforLateralandVerticalElectronicDevices为题发表在国际著名学术期刊ACSNano上，配置第一作者为清华大学材料学院博士生王博伦。成果简介近日，价格清华大学材料学院刘锴课题组在单层MoS2上外延生长NbS2从而实现了对NbS2底面的原位保护。

(b)异质结接触和机械剥离NbS2接触的MoS2场效应晶体管性能对比图，元9月插图为异质结接触器件的转移特性曲线。兆瓦(e)对忆阻器施加连续的正向电压脉冲和反向电压脉冲电压来模拟神经突触的长时程增强和长时程抑制特性。

因此，非水这种单面保护、单面氧化的非对称垂直异质结构（MoS2-NbS2-NbOx），兼具隧穿导电和阻变导电两种不同的导电功能。

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在今年年底之前，价格HTC、Oculus和索尼三家公司的虚拟现实头盔将会争夺市场，而游戏内容将会成为一个有力的武器。据报道，元9月该游戏的实际开发机构名为Fantahorn工作室，元9月该工作室的主要成员主要是HTC一些前员工，而HTC也为该工作室提供了开发资金，鼓励他们开发虚拟现实游戏。

不过在电脑展上，兆瓦HTC负责对外宣传的高管JessicaTan对媒体证实，HTC已经计划在内部开发更多的虚拟现实游戏。外媒报道指出，非水目前在虚拟现实领域，HTC和Oculus已经成为一对激烈竞争的对手，而另外一家头盔制造商索尼只能在今年晚些时候推出硬件和游戏产品。